Shinya AIKAWA, Ph.D.


    E-mail: aikawa[at]cc.kogakuin.ac.jp

    Advanced Functional Device Laboratory, Building No.5, Room 602 (Aikawa's Office)
    Department of Electrical and Electronic Engineering, Kogakuin University
    2665-1 Nakano-machi, Hachioji, Tokyo 192-0015, Japan.

    TEL: +81-42-628-4472

    Researcher ID: A-8103-2012
    Google Scholar Citations
    Kogakuin Univ. Researcher Database


    Peer-Reviewed International Journals | 和文誌 (in Japanese) | International Conference | 国内学会 (Domestic Conference) | 特許 (Patents)



Professional Background

    2019.04 - Present:
    Associate Professor (Advanced Functional Device Laboratory, Department of Electrical and Electronic Engineering, Kogakuin University)

    2018.04 - 2019.03:
    Designated Associate Professor (Advanced Functional Device Laboratory, Department of Electrical and Electronic Engineering, Kogakuin University)

    2016.04 - 2018.03:
    Associate Professor (Advanced Functional Device Laboratory, Research Institute for Science and Technology, Kogakuin University)

    2014.04 - Present:
    Visiting Researcher (Pi-Electronics Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science)

    2014.04 - 2016.03:
    Assistant Professor (Advanced Functional Device Laboratory, Research Institute for Science and Technology, Kogakuin University)

    2012.09 - 2014.03:
    Postdoctoral Researcher (Pi-Electronics Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science)

    2012.04 - 2012.08:
    Postdoctoral Researcher (Maruyama-Shiomi Laboratory, Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo)

    2009.04 - 2012.03:
    JSPS Research Fellow (DC1)

Education

    2009.04 - 2012.03 (Ph.D.):
    Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science

    2007.04 - 2009.03 (M.E.):
    Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science

    2003.04 - 2007.03 (B.E.):
    Department of Electrical Engineering (Division II), Tokyo University of Science



Journal Publications

Peer-Reviewed International Journals:

  1. Gas adsorption effects on electrical properties of amorphous In2O3 thin-film transistors under various environments
    K. Nakamura, K. Sasaki, S. Aikawa
    Jpn. J. Appl. Phys. 59, SIIG06 (2020).

  2. Si-incorporated amorphous indium oxide thin-film transistors
    S. Aikawa, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Jpn. J. Appl. Phys. 58, 090506 (2019). REVIEW ARTICLE

  3. Effect of carbon doping on threshold voltage and mobility of In-Si-O thin-film transistors
    K. Kurishima, T. Nabatame, N. Mitoma, T. Kizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
    J. Vac. Sci. Technol., B 36, 061206 (2018).

  4. Carrier polarity engineering in carbon nanotube field-effect transistors by induced charges in polymer insulator
    S. Aikawa, S. Kim, T. Thurakitseree, E. Einarsson, T. Inoue, S. Chiashi, K. Tsukagoshi, S. Maruyama
    Appl. Phys. Lett. 112, 013501 (2018).

  5. Effect of Ti doping to maintain structural disorder in InOx-based thin-film transistors fabricated by RF magnetron sputtering
    S. Aikawa
    3D Res. 8, 35 (2017).

  6. Homogeneous double-layer amorphous Si-doped indium oxide thin-film transistors for control of turn-on voltage
    T. Kizu, S. Aikawa, T. Nabatame, A. Fujiwara, K. Ito, M. Takahashi, K. Tsukagoshi
    J. Appl. Phys. 120, 045702 (2016).

  7. Gate modulation of anodically etched gallium arsenide nanowire random network
    S. Aikawa, K.Yamada, H. Asoh, S. Ono
    Jpn. J. Appl. Phys. 55, 06GJ06 (2016).

  8. Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors
    K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, N. Mitoma, T. Kizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
    J. Vac. Sci. Technol., A 33, 061506 (2015).

  9. Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors
    S. Aikawa, N. Mitoma, T. Kizu, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 106, 192103 (2015).

  10. Highly Stable and Tunable n-Type Graphene Field-Effect Transistors with Polyvinyl Alcohol Films
    S. Kim, P. Zhao, S. Aikawa, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    ACS Appl. Mater. Interfaces 7, 9702-9708 (2015).

  11. Self-Limiting Layer-by-Layer Oxidation of Atomically Thin WSe2
    M. Yamamoto, S. Dutta, S. Aikawa, S. Nakaharai, K. Wakabayashi, M. S. Fuhrer, K. Ueno, K. Tsukagoshi
    Nano Lett. 15, 2067-2073 (2015).

  12. Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants
    N. Mitoma, S. Aikawa, W. Ou-Yang, X. Gao, T. Kizu, M.-F. Lin, A. Fujiwara, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 106, 042106 (2015).

  13. Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process
    M.-F. Lin, X. Gao, N. Mitoma, T. Kizu, W. Ou-Yang, S. Aikawa, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    AIP Adv. 5, 017116 (2015).

  14. Self-formed copper oxide contact interlayer for high-performance oxide thin film transistors
    X. Gao, S. Aikawa, N. Mitoma, M.-F. Lin, T. Kizu, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 105, 023503 (2014).

  15. Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor
    K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura
    ECS Trans. 61, 345-351 (2014).

  16. Strong Enhancement of Raman Scattering from a Bulk-Inactive Vibrational Mode in Few-Layer MoTe2
    M. Yamamoto, S. T. Wang, M. Ni, Y.-F. Lin, S.-L. Li, S. Aikawa, W.-B. Jian, K. Ueno, K. Wakabayashi, K. Tsukagoshi
    ACS Nano 8, 3895-3903 (2014).

  17. Low-temperature processable amorphous In-W-O thin-film transistors with high mobility and stability
    T. Kizu, S. Aikawa, N. Mitoma, M. Shimizu, X. Gao, M.-F. Lin, T. Nabatame, K Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 104, 152103 (2014).

  18. Stable amorphous In2O3-based thin-film transistors by incorporating SiO2 to suppress oxygen vacancies
    N. Mitoma, S. Aikawa, X. Gao, T. Kizu, M. Shimizu, M.-F. Lin, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 104, 102103 (2014).

  19. Effects of dopants in InOx-based amorphous oxide semiconductors for thin-film transistor applications
    S. Aikawa, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 103, 172105 (2013).
      Phys.org Oct. 22, 2013.
      科学新聞(8面) Oct. 11, 2013.
      日刊工業新聞(15面) Sep. 24, 2013.
      化学工業日報(9面) Sep. 24, 2013.
      NIMSプレスリリース Sep. 20, 2013.

  20. Effect of Gas Pressure on the Density of Horizontally Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes Grown on Quartz Substrates
    T. Inoue, D. Hasegawa, S. Badar, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
    J. Phys. Chem. C 117, 11804-11810 (2013).

  21. Thin-film transistors fabricated by low-temperature process based on Ga- and Zn-free amorphous oxide semiconductor
    S. Aikawa, P. Darmawan, K. Yanagisawa, T. Nabatame, Y. Abe, K. Tsukagoshi
    Appl. Phys. Lett. 102, 102101 (2013).
      Phys.org Nov. 16, 2012.

  22. Effect of Inrush Current on Carbon Nanotube Synthesis from Xylene by the Liquid-Phase Pulsed Arc Method Using Copper Electrodes
    T. Kizu, S. Aikawa, K. Takekoshi, E. Nishikawa
    e-J. Surf. Sci. Nanotech. 11, 8-12 (2013).

  23. Influence of Pulse Condition in the Synthesis of Carbon Nanotubes Containing Tungsten by Arc Discharge in Water
    K. Takekoshi, T. Kizu, S. Aikawa, M. Kanda, E. Nishikawa
    Jpn. J. Appl. Phys. 51, 125102 (2012).

  24. Temperature dependent thermal conductivity increase of aqueous nanofluid with single walled carbon nanotube inclusions
    S. Harish, K. Ishikawa, E. Einarsson, S. Aikawa, T. Inoue, P. Zhao, M. Watanabe, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    Mater. Express 2, 213-223 (2012).

  25. One-Step Synthesis of Metal-Encapsulated Carbon Nanotubes by Pulsed Arc Discharge in Water
    K. Takekoshi, T. Kizu, S. Aikawa, E. Nishikawa
    e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10, 414-416 (2012).

  26. Enhanced thermal conductivity of ethylene glycol with single-walled carbon nanotube inclusions
    S. Harish, K. Ishikawa, E. Einarsson, S. Aikawa, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    Int. J. Heat Mass Transfer 55, 3885-3890 (2012).

  27. Diameter-controlled and nitrogen-doped vertically aligned single-walled carbon nanotubes
    T. Thurakitseree, C. Kramberger, P. Zhao, S. Aikawa, S. Harish, S. Chiashi, E. Einarsson, S. Maruyama
    Carbon 50, 2635-2640 (2012).

  28. Diameter Controlled Chemical Vapor Deposition Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes
    T. Thurakitseree, E. Einarsson, R. Xiang, P. Zhao, S. Aikawa, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 370-376 (2012).

  29. Deformable transparent all-carbon-nanotube transistors
    S. Aikawa, E. Einarsson, T. Thurakitseree, S. Chiashi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    Appl. Phys. Lett. 100, 063502 (2012).
      Phys.org Mar. 2, 2012.

  30. Facile fabrication of all-SWNT field-effect transistors
    S. Aikawa, R. Xiang, E. Einarsson, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    Nano Res. 4, 580-588 (2011).

  31. Molar Concentration Dependence of Sucrose Solution in Carbon Nanotube Synthesis by Liquid-Phase Arc Discharge
    S. Aikawa, T. Kizu, K. Kamei, E. Nishikawa
    e-J. Surf. Sci. Nanotech. 9, 215-218 (2011).

  32. Simple Fabrication Technique for Field-Effect Transistor Array Using As-Grown Single-Walled Carbon Nanotubes
    S. Aikawa, E. Einarsson, T. Inoue, R. Xiang, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys. 50, 04DN08 (2011).

  33. Catalytic graphitization of an amorphous carbon film under focused electron beam irradiation due to the presence of sputtered nickel metal particles
    S. Aikawa, T. Kizu, E. Nishikawa
    Carbon 48, 2997-2999 (2010).

  34. Carbon Nanotube Synthesis by Arc Discharge in Water Using Metal Cathodes
    T. Kizu, S. Aikawa, E. Nishikawa
    e-J. Surf. Sci. Nanotech. 8, 203-206 (2010).

  35. Carbon Nanomaterial Synthesis from Sucrose Solution without Using Graphite Electrodes
    S. Aikawa, T. Kizu, E. Nishikawa, T. Kioka
    Chem. Lett. 36, 1426-1427 (2007).
      日刊工業新聞(1面) Jun. 23, 2008.

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和文誌 (in Japanese):

  1. IoTデバイスの低電圧駆動に役立つ新規構造アモルファス酸化物薄膜トランジスタ
    相川 慎也
    クリーンテクノロジー 30, 51-55 (2020).

  2. ITOおよびIZOに代わる酸化インジウム系透明導電材料開発の試み
    相川 慎也
    OPTRONICS 38, 155-159 (2019).

  3. 有機ELディスプレイの効率化に向けたSiドープ透明電極材料開発の試み
    相川 慎也
    コンバーテック 536, 95-98 (2017).

  4. 超フレキシブルで透明なカーボンナノチューブトランジスタ
    相川 慎也,塚越 一仁,丸山 茂夫
    O plus E 35, 350-355 (2013).

  5. 環境を考慮した紫外線照射と過酸化水素の併用によるカーボンナノチューブの酸化
    今井 基之,木津 たきお,相川 慎也,多久島 義太郎,品田 俊行,西川 英一
    表面技術 61, 384-385 (2010).

  6. 紫外線を用いたカーボンナノチューブ精製効果の検討
    今井 基之,清水 浩,相川 慎也,木津 たきお,品田 俊行,西川 英一
    表面技術 60, 352-354 (2009).

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International Conference

    Asterisk(*) = speaker

    2021:

  1. Optimization of fluorine concentration in In2O3 transparent conductive film
    K. Oe*, S. Aikawa
    MANA International Symposium 2021 (Online), Poster.
  2. Enhancement of electrical stability of ZrOx-based ReRAM by insertion of SiOx interlayers
    K. Toyama*, D. Naniwa, S. Aikawa
    MANA International Symposium 2021 (Online), Poster.
  3. Fabrication and characterization of In2O3 transparent conductive films co-sputtered with CaF2
    K. Oe*, S. Aikawa
    21st International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2020) (Online), Poster.
  4. Electrical characterization of ReRAM using ZrOx/SiOx resistive switching layer
    K. Toyama*, S. Aikawa
    21st International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2020) (Online), Poster.
  5. Si-based Schottky barrier solar cells using boron incorporated In2O3 transparent electrode
    S. Aikawa*, Y. Shibata, Y. Morinaga
    21st International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2020) (Online), Oral.
  6. Fluorine concentration dependence on electrical and optical properties of In2O3 transparent film
    K. Oe*, S. Aikawa
    The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19) (Online), Poster.
  7. Electrical characterization of Zr-based ReRAM with a sandwiched resistive switching layer
    K. Toyama*, D. Naniwa, S. Aikawa
    The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19) (Online), Poster.
  8. 2020:

  9. Influence of SiOx interlayer on electrical properties of noble metal-free ZrOx-based resistive switching memory devices
    K. Toyama*, D. Naniwa, S. Aikawa
    MNC 2020: 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Online), Oral.
  10. Investigation of CaF2 doping on electrical and optical properties of In2O3 transparent conductive film
    K. Oe*, S. Aikawa
    MNC 2020: 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Online), Oral.
  11. Comparative characterization of Si Schottky solar cells using B‐doped In2O3 and ITO transparent electrodes
    S. Aikawa*, Y. Shibata, Y. Morinaga
    MNC 2020: 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Online), Oral.
  12. B-doped In2O3 Transparent Electrode for Si-based Schottky Barrier Solar Cell Application
    S. Aikawa*, Y. Shibata, Y. Morinaga
    IEEE NANO 2020: the 20th IEEE International Conference on Nanotechnology (Virtual), Oral.
  13. 2019:

  14. Light-isolation of micro-LED pixels integrated in Si micro-cup substrate
    K. Sato*, Y. Kamei, R. Nawa, S. Aikawa, Y. Ushida, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) (Okinawa, Japan), Poster.
  15. Hydrophobic Fluoropolymer Interlayer between In2O3 Semiconductor and SiO2 Gate Insulator for Improvement of Thin-Film Transistor Performance
    K. Sasaki, K. Nakamura, Y. Shibata, S. Aikawa*
    MNC 2019: 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Hiroshima, Japan), Poster.
  16. Investigation of measurement environmental sensitivity in amorphous indium oxide-based thin-film transistors
    K. Nakamura, K. Sasaki, Y. Shibata, K. Oe, S. Aikawa*
    MNC 2019: 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Hiroshima, Japan), Oral.
  17. Electrical properties of In2O3 thin-film transistors under vacuum and inert environments
    K. Nakamura, K. Sasaki, Y. Shibata, K. Oe, S. Aikawa*
    AVS 66th International Symposium & Exhibition (Columbus, Ohio, USA), Poster.
  18. Fabrication of LED pixels of 16 x 16 array structure using Si micro-cup substrate
    K. Sato*, Y. Kamei, R. Nawa, S. Aikawa, Y. Ushida, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) (Bellevue, Washington, USA), Poster.
  19. Fabrication of micro-LED display of 16 x 16 array structure using Si micro-cup substrate
    K. Sato*, Y. Kamei, R. Nawa, S. Aikawa, Y. Ushida, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
    The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19) (Kanagawa, Japan), Poster.
  20. 2017:

  21. Si-Incorporated Amorphous Indium Oxide-Based Thin-Film Transistors for Stable Operation
    S. Aikawa*
    BIT's 7th Annual World Congress of Nano Science & Technology 2017 (Fukuoka, Japan), Oral (Invited).
  22. Unipolar n-type conversion of carbon nanotube field-effect transistors
    S. Aikawa*
    IUMRS-ICAM 2017: The 15th International Conference on Advanced Materials (Kyoto, Japan), Oral (Invited).
  23. Incorporation of high bond-dissociation energy dopants for low-temperature processable stable InOx-based thin-film transistors
    S. Aikawa*
    CCMR 2017: Collaborative Conference on Materials Research 2017 (Jeju, Korea), Oral (Invited).
  24. 2016:

  25. Hydrogen Exposure Effects on Anodically Etched GaAs Nanowires in Liquid Electrolyte
    S. Aikawa*, K. Yamada, H. Hashimoto, H. Asoh, S. Ono
    2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) (Miyagi, Japan), Poster.
  26. Mist-CVD-Grown Crystalline In2O3 Thin-Film Transistors with Low Off-State Current
    S. Aikawa*, K. Tanuma, T. Kobayashi, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
    ICCGE-18: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (Aichi, Japan), Poster.
  27. 2015:

  28. Electrical and Structural Characterization of Anodically Etched GaAs Nanowires Towards Functional Electronic Devices
    S. Aikawa*, K.Yamada, H. Asoh, H. Hashimoto, Y.-I. Kim, E. Nishikawa, S. Ono
    MNC 2015: 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Toyama, Japan), Poster.
  29. Low-temperature Processable Amorphous In-W-O Thin-film Transistors
    T. Kizu*, S. Aikawa, N. Mitoma, M. Shimizu, X. Gao, M-F. Lin, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
    STAC-9&TOEO-9: The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics and The 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (Ibaraki, Japan), Poster.
  30. 2014:

  31. Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method
    K. Kurishima*, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura
    ALD 2014: 14th International Conference on Atomic Layer Deposition 2014 (Kyoto, Japan), Poster.
  32. Fabrication and Characterization of Nitrogen-Induced Single-Walled Carbon Nanotubes Field-Effect Transistors
    S.J. Kim*, T. Thurakitseree, S. Aikawa, T. Inoue, S. Chiashi, S. Maruyama
    NT14: The Fifteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Los Angeles, California, USA), Poster.
  33. Influence of Al2O3 Gate Dielectric on Transistor Properties for IGZO Thin Film Transistor
    K. Kurishima*, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
    225th ECS Meeting (Orlando, Florida, USA), Poster.
  34. 2013:

  35. Transport characteristics for nitrogen-doped horizontally aligned single-walled carbon nanotubes
    S.J. Kim*, T. Thurakitseree, S. Aikawa, T. Inoue, S. Chiashi, S. Maruyama
    4th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Electronics (Jeju Island, Korea), Poster.
  36. Highly Stable n-Doped Graphene Field-Effect Transistors via Polyvinyl Alcohol Films
    S.J. Kim*, P. Zhao, S. Aikawa, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    RPGR 2013: 5th International Conferences on Recent Progress in Graphene Research (Tokyo, Japan), Poster.
  37. 2012:

  38. Single-walled Carbon Nanotube/Silicon Heterojunction Photovoltaic Cell
    K. Cui*, S. Omiya, P. Zhao, T. Thurakitseree, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
    2012 MRS Fall Meeting (Boston, Massachusetts, USA), Oral.
  39. Fabrication of Flexible Graphene Field-Effect Transistors with Single-Walled Carbon Nanotube Electrodes
    S.J. Kim*, S. Aikawa, P. Zhao, B. Hou, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    2012 MRS Fall Meeting (Boston, Massachusetts, USA), Oral.
  40. Influence of Polymer Coating on Device Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
    S. Aikawa*, T. Inoue, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    SSDM 2012: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (Kyoto, Japan), Poster.
  41. Characterization of single-walled carbon nanotubes and graphene-based field-effect transistors
    S.J. Kim*, S. Aikawa, P. Zhao, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    TeraNano 2012: 2nd International Symposium on Terahertz Nanoscience (Okinawa, Japan), Poster.
  42. Tailored Synthesis of Single-walled Carbon Nanotubes for Applications
    E. Einarsson*, T. Thurakitseree, S. Aikawa, C. Kramberger, S. Chiashi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    ICYRAM 2012: International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (Singapore), Oral (Invited).
  43. Influence of nitrogen incorporation on the diameter of single-walled carbon nanotubes
    T. Thurakitseree*, C. Kramberger, P. Zhao, S. Aikawa, S. Harish, S. Chiashi, E. Einarsson, S. Maruyama
    NT12: Thirteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Brisbane, Australia), Poster.
  44. CVD synthesis of small-diameter nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes using acetonitrile
    E. Einarsson*, T. Thurakitseree, C. Kramberger, P. Zhao, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
    NT12: Thirteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Brisbane, Australia), Poster.
  45. Characterization of single-walled carbon nanotube and graphene composite devices
    S.J. Kim*, S. Aikawa, P. Zhao, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    CNTNE2012: International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics (Aichi, Japan), Poster.
  46. Ambipolar Behavior in All-Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors by Poly(Vinyl Alcohol) Coating
    S. Aikawa*, T. Inoue, E. Einarsson, T. Thurakitseree, S. Chiashi, S. Maruyama
    CNTNE2012: International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics (Aichi, Japan), Poster.
  47. Reducing the diameter of vertically aligned single walled carbon nanotubes by Nitrogen doping: Synthesis and Spectroscopy study
    T. Thurakitseree*, C. Kramberger, P. Zhao, S. Aikawa, S. Harish, S. Chiashi, E. Einarsson, S. Maruyama
    IWEPNM 2012: 26th International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (Kirchberg, Austria), Poster.
  48. Thermal Conductivity of Single-Walled Carbon Nanotube Suspensions in Ethylene Glycol: Experimental Results and Theoretical Limits
    S. Harish*, K. Ishikawa, E. Einarsson, S. Aikawa, M. Watanabe, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    ISHTEC 2012: 4th International Symposium on Heat Transfer and Energy Conservation (Guangzhou, China), Oral.
  49. 2011:

  50. One-Step Encapsulation of Metal Particle with High-Melting into Carbon Nanotubes by Pulsed Arc Discharge in Water
    K. Takekoshi*, T. Kizu, S. Aikawa, E. Nishikawa
    ISSS-6: 6th International Symposium on Surface Science (Tokyo, Japan), Poster.
  51. Simple Synthesis Method for Carbon Nanotubes from Aromatic Compounds by Liquid-Phase Arc Plasma
    T. Kizu*, K. Takekoshi, S. Aikawa, E. Nishikawa
    ISSS-6: 6th International Symposium on Surface Science (Tokyo, Japan), Poster.
  52. Increasing the Thermal Conductivity of Fluids by adding Single-Walled Carbon Nanotubes encapsulated in Sodium Deoxycholate
    S. Harish*, K. Ishikawa, E. Einarsson, T. Inoue, S. Aikawa, P. Zhao, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    7th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena - Science and Engineering - (Mie, Japan), Poster.
  53. Fabrication of flexible thin film transistors using single-walled carbon nanotubes and graphene
    S.J. Kim*, S. Aikawa, B. Hou, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
    MNC 2011: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Kyoto, Japan), Poster.
  54. Extremely Flexible All-Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Without Device Degradation
    S. Aikawa*, E. Einarsson, S. Chiashi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    MNC 2011: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Kyoto, Japan), Oral.
  55. Ambipolar Conversion of Polymer-Coated All Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
    S. Aikawa*, E. Einarsson, S. Chiashi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    SSDM 2011: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (Aichi, Japan), Oral.
  56. Synthesis of small-diameter single-walled carbon nanotubes from acetonitrile
    T. Thurakitseree*, C. Kramberger, P. Zhao, S. Aikawa, S. Harish, S. Chiashi, E. Einarsson, S. Maruyama
    A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy & Environments (Urumqi, China), Poster.
  57. Flexible, Transparent, and Metal-Free Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
    S. Aikawa*, E. Einarsson, T. Inoue, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    NT11: International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Cambridge, UK), Poster.
  58. Effect of catalyst preparation on diameter of single-walled carbon nanotubes synthesized by alcohol CVD
    T. Thurakitseree*, E. Einarsson, R. Xiang, S. Aikawa, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    APS March Meeting 2011 (Dallas, Texas, USA), Oral.
  59. Carbon Nanotubes Synthesis in Liquid Xylene by Low-frequency Pulsed Arc Discharge Using Copper Electrodes: An Effect of Current Waveform
    T. Kizu*, S. Aikawa, K. Takekoshi, E. Nishikawa
    ISPlasma 2011: 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (Aichi, Japan), Poster.
  60. 2010:

  61. High-precision localized growth of single-walled carbon nanotubes and its applications
    R. Xiang*, S. Aikawa, E. Einarsson, S. Maruyama
    Pacifichem 2010: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Honolulu, Hawaii, USA), Oral.
  62. Precisely localized synthesis of single-walled carbon nanotubes for applications
    E. Einarsson*, S. Aikawa, R. Xiang, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    Pacifichem 2010: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Honolulu, Hawaii, USA), Poster.
  63. Carbon nanotubes synthesis in liquid xylene by low-frequency pulsed arc discharge using metal electrodes
    T. Kizu*, S. Aikawa, M. Okabe, E. Nishikawa
    Pacifichem 2010: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Honolulu, Hawaii, USA), Poster.
  64. One-Step Fabrication of High-Performance All-SWNT Field-Effect Transistors by Patterned Growth Technique
    S. Aikawa, R. Xiang, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama*
    A3 Symposium on Emerging Materials: Nanocarbons and Nanowires for Energy (Chonju, Korea), Oral (Invited).
  65. Horizontally-alignment growth of single-walled carbon nanotubes on quartz substrates
    S. Chiashi*, T. Inoue, T. Thurakitseree, S. Aikawa, R. Xiang, J. Shiomi, S. Maruyama
    A3 Symposium on Emerging Materials: Nanocarbons and Nanowires for Energy (Chonju, Korea), Poster.
  66. Liquid-based site-selective deposition of catalyst for SWNT growth : Mechanism and applications
    R. Xiang*, S. Aikawa, E. Einarsson, T. Inoue, S. Chiashi, Z. K. Tang, S. Maruyama
    A3 Symposium on Emerging Materials: Nanocarbons and Nanowires for Energy (Chonju, Korea), Poster.
  67. Characterization of field-effect transistors using high-quality as-grown SWNTs from alcohol CVD
    S. Aikawa*, R. Xiang, E. Einarsson, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    AsiaNANO 2010: Asian Conference on Nanoscience & Nanotechnology (Tokyo, Japan), Poster.
  68. Diameter controlled CVD synthesis of single-walled carbon nanotubes
    T. Thurakitseree*, E. Einarsson, R. Xiang, S. Aikawa, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    AsiaNANO 2010: Asian Conference on Nanoscience & Nanotechnology (Tokyo, Japan), Oral.
  69. Simple Fabrication Technique for an Array of Field-effect Transistors Using High-quality as-grown Single-walled Carbon Nanotubes from Dip-coated Catalyst by Substrate Surface Modification
    S. Aikawa*, R. Xiang, E. Einarsson, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    SSDM 2010: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan), Poster.
  70. Carbon nanotubes synthesis in liquid xylene by low-frequency pulsed arc discharge using metal electrodes: An effect of inrush current
    T. Kizu*, S. Aikawa , K. Takekoshi, E. Nishikawa
    ICCG-16: The 16th International Conference on Crystal Growth (Beijing, China), Poster.
  71. Characterization of Thin Film Transistor Using as-grown Single-walled Carbon Nanotubes from Dip-coated Catalyst by Patterned Removal of Self-assembled Monolayer
    S. Aikawa*, R. Xiang, E. Einarsson, A. Kitabatake, S. Chiashi, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    NT10: Eleventh International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Montreal, Canada), Poster.
  72. Patterned CVD Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes for a Thin-Film Transistor
    S. Maruyama*, R. Xiang, S. Aikawa, E. Einarsson, S. Chiashi, J. Shiomi
    2010 MRS Spring Meeting (San Francisco, California, USA), Oral (Invited).
  73. 2009:

  74. Graphitization of an Amorphous Carbon Film under Electron Beam Irradiation Catalysed by Metal Particles
    S. Aikawa*, T. Kizu, E. Nishikawa
    ALC'09: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '09 (Maui, Hawaii, USA), Poster.
  75. Carbon Nanotubes Synthesis in Water by Arc Discharge Using Metal Electrodes
    T. Kizu*, S. Aikawa, E. Nishikawa
    ALC'09: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '09 (Maui, Hawaii, USA), Poster.
  76. Patterned Growth of SWNTs for Facile Fabrication of Field Effect Transistor Device
    S. Aikawa*, R. Xiang, E. Einarsson, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    The 6th Korea-Japan Symposium on Carbon Nanotube (Okinawa, Japan), Poster.
  77. Precisely Localized As-grown Single-Walled Carbon Nanotubes for Facile Fabrication of a Field Effect Transistor Device
    S. Aikawa*, R. Xiang, E. Einarsson, J. Shiomi, E. Nishikawa, S. Maruyama
    NT09: Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (Beijing, China), Poster.

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国内学会 (Domestic Conference)

    アスタリスク(*)は発表者

    2021:

  1. In2O3 TFTバックチャネルへの絶縁膜溶液塗布の影響
    熊本 勇紀*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), ポスター.
  2. ホウ素ドープ酸化インジウム透明導電膜に対するアニール条件の比較
    森 峻*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), ポスター.
  3. PET基板上ITO透明導電膜へのストレス印加による電気的・形態的変化
    村野 海渡*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), ポスター.
  4. 高性能p型SnO TFTに向けた窒素アニール条件の検討
    渡辺 幸太郎*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), ポスター.
  5. In2O3系透明導電膜におけるFの有効ドーピング濃度
    大榮 海斗*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), 口頭.
  6. SiOx層挿入によるZrOx系ReRAMの動作サイクル改善
    當山 啓斗*相川 慎也
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン), 口頭.
  7. 2020:

  8. CaF2をコスパッタした酸化インジウム透明導電膜の作製と評価
    大榮 海斗*相川 慎也
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学,東京), ポスター.
  9. 修飾ゲート絶縁膜表面の濡れ性がアモルファスIn2O3TFTの電気的特性に及ぼす影響
    佐々木 啓介*,中村 圭佑,相川 慎也
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学,東京), ポスター.
  10. ZrOx/SiOx二層抵抗変化層を用いたReRAMの電気特性評価
    當山 啓斗*相川 慎也
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学,東京), ポスター.
  11. 2017:

  12. 急峻なサブスレッショルドスロープを持つALD-AlOxゲート絶縁膜アモルファスInSiO TFT
    相川 慎也*,木津 たきお,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場,福岡), 口頭.
  13. ALDで形成した薄膜InOx高移動度TFT
    木津 たきお*相川 慎也,池田 幸弘,上野 啓司,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場,福岡), 口頭.
  14. 2016:

  15. 逆電解処理によるGaAsナノワイヤTFTの移動度向上
    相川 慎也*,山田 航平,橋本 英樹,阿相 英孝,小野 幸子
    2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会 (朱鷺メッセ,新潟), 口頭.
  16. 二層InSiO薄膜トランジスタの水素還元とオゾン酸化効果
    木津 たきお*相川 慎也,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学,東京), ポスター.
  17. アノードエッチングにより作製したGaAsナノワイヤの電気特性に対する湿式水素曝露効果
    山田 航平*相川 慎也,橋本 英樹,阿相 英孝,小野 幸子
    2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学,東京), ポスター.
  18. 2015:

  19. アノードエッチングで作製したGaAsナノワイヤの電気伝導特性
    山田 航平*相川 慎也,阿相 英孝,小野 幸子
    第5回CSJ化学フェスタ (タワーホール船堀,東京), ポスター.
  20. 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ
    木津 たきお*相川 慎也,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場,愛知), 口頭.
  21. 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT
    相川 慎也*,三苫 伸彦,木津 たきお,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場,愛知), ポスター.
  22. アノードエッチングで作製したGaAsナノワイヤの表面構造と物性評価
    山田 航平*相川 慎也,阿相 英孝,橋本 英樹,小野 幸子
    2015年電気化学秋季大会 (埼玉工業大学,埼玉), 口頭.
  23. アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性
    三苫 伸彦*相川 慎也,欧陽 威,高 旭,木津 たきお,林 孟芳,藤原 明比古,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 (東海大学,神奈川), 口頭.
  24. 2014:

  25. シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ
    三苫 伸彦*相川 慎也,高 旭,木津 たきお,清水 麻希,林 孟芳,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学,北海道), 口頭.
  26. 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT
    木津 たきお*相川 慎也,三苫 伸彦,清水 麻希,高 旭,林 孟芳,生田目 俊秀,塚越 一仁
    2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学,北海道), 口頭.
  27. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性
    栗島 一徳*,生田目 俊秀,清水 麻希,相川 慎也,塚越 一仁,大井 暁彦,知京 豊裕,小椋 厚志
    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学,神奈川), 口頭.
  28. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化
    栗島 一徳*,生田目 俊秀,清水 麻希,相川 慎也,塚越 一仁,大井 暁彦,知京 豊裕,小椋 厚志
    第19回 ゲートスタック研究会 (ニューウェルシティー湯河原,静岡), ポスター.
  29. 2012:

  30. Optimization of Single-Walled Carbon Nanotube/Silicon Heterojunction Solar Cells
    K. Cui*, S. Omiya, P. Zhao, T. Thurakitseree, T. Inoue, S. Aiwaka, S. Chiashi, S. Maruyama
    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 (愛媛大学・松山大学,愛媛), 口頭.
  31. 水中アーク放電を用いた金属内包カーボンナノチューブ合成における陰極金属の沸点の影響
    竹腰 健太郎*,木津 たきお,相川 慎也,西川 英一
    2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 (愛媛大学・松山大学,愛媛), 口頭.
  32. 透明なカーボンナノチューブフレキシブルトランジスタ
    相川 慎也*,北畠 旭,Erik Einarsson,Theerapol Thurakitseree,千足 昇平,丸山 茂夫
    第49回日本伝熱シンポジウム (富山国際会議場,富山), 口頭.
  33. アセトニトリルを用いた小径・窒素ドープ単層CNTのCVD合成
    E. エイナルソン*,T. テゥーラキットセーリー,C. クランバーガー,趙 沛,相川 慎也,S. ハリッシュ,千足 昇平,丸山 茂夫
    第42回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (東京大学,東京), 口頭.
  34. Toward graphene and single-walled carbon nanotube composite devices
    S.J. Kim*, S. Aikawa, B. Hou, E. Einarsson, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
    第42回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (東京大学,東京), ポスター.
  35. as-grown単層CNTを用いた薄膜トランジスタの作製と特性評価
    北畠 旭*相川 慎也,西村 英徳,エリック エイナルソン,千足 昇平,丸山 茂夫
    第42回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (東京大学,東京), ポスター.
  36. 2011:

  37. 水中パルスアーク放電による金属内包カーボンナノチューブの一段合成:充填率のパルス幅依存性
    竹腰 健太郎*,木津 たきお,相川 慎也,神田 守高,西川 英一
    平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会 (東京工業大学,東京), 口頭.
  38. 液中金属間パルスアーク法によるカーボンナノチューブ合成と電極表面の時間変化観察
    木津 たきお*,竹腰 健太郎,相川 慎也,西川 英一
    平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会 (東京工業大学,東京), 口頭.
  39. 水中パルスアーク放電を用いた金属内包カーボンナノチューブのワンステップ合成
    竹腰 健太郎*,木津 たきお,相川 慎也,西川 英一
    第41回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (首都大学東京,東京), ポスター.
  40. 液中金属間アーク法によるカーボンナノチューブ合成と液中プラズマの発光分析
    木津 たきお*相川 慎也,竹腰 健太郎,西川 英一
    第41回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (首都大学東京,東京), ポスター.
  41. 貼り合わせ法で作製されたオールナノチューブフレキシブルトランジスタの特性評価
    相川 慎也*,エリック エイナルソン,千足 昇平,西川 英一,丸山 茂夫
    第41回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (首都大学東京,東京), 口頭.
  42. アセトニトリルからの(6,5)単層カーボンナノチューブの選択的合成
    ティーラポン トゥラキットセーリー*相川 慎也,エリック エイナルソン,趙 沛,千足 昇平,丸山 茂夫
    第41回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (首都大学東京,東京), ポスター.
  43. 水中パルスアーク放電による金属内包カーボンナノチューブの一段合成
    竹腰 健太郎*,木津 たきお,相川 慎也,神田 守高,西川 英一
    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 (山形大学,山形), 口頭.
  44. 液中パルスアーク法によるキシレンからのカーボンナノチューブ合成
    木津 たきお*相川 慎也,竹腰 健太郎,西川 英一
    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 (山形大学,山形), 口頭.
  45. 変形可能なオールカーボンナノチューブ両極性トランジスタ
    相川 慎也*,エリック エイナルソン,千足 昇平,西川 英一,丸山 茂夫
    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 (山形大学,山形), 口頭.
  46. 柔軟で透明,金属不要な単層カーボンナノチューブトランジスタ
    相川 慎也*,エリック エイナルソン,井ノ上 泰輝,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    ナノ学会 第9回大会 (北海道大学,北海道), ポスター.
  47. 極めて柔軟な all-SWNT 電界効果トランジスタ
    相川 慎也*,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 (神奈川工科大学,神奈川), 口頭.
  48. 非常に柔軟なAll-SWNT電界効果トランジスタ
    相川 慎也*,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (名城大学,愛知), 口頭.
  49. 2010:

  50. 収束電子線照射でスパッタされたニッケル微粒子によるアモルファスカーボン薄膜のグラファイト化
    相川 慎也*,木津 たきお,西川 英一
    第37回炭素材料学会 (姫路市民会館,兵庫), 口頭.
  51. 液相アーク放電によるキシレンからのカーボンナノチューブ合成と生成物の突入電流依存性
    木津 たきお*,竹腰 健太郎,相川 慎也,西川 英一
    2010年 放電学会 年次大会 (日大理工学部,東京), 口頭.
  52. スクロース溶液中でのアーク放電における生成物の濃度依存
    亀井 慶一*相川 慎也,木津 たきお,西川 英一
    2010年 放電学会 年次大会 (日大理工学部,東京), ポスター.
  53. 水中アーク放電を用いたカーボンナノチューブ合成における放電安定化と生成物の評価
    竹腰 健太郎*,木津 たきお,相川 慎也,西川 英一
    2010年 放電学会 年次大会 (日大理工学部,東京), ポスター.
  54. 液中アーク放電法による酸化ナトリウムナノワイヤーの合成
    新井 大祐*,木津 たきお,相川 慎也,西川 英一
    2010年 放電学会 年次大会 (日大理工学部,東京), ポスター.
  55. 単層CNTのパターン合成による高性能FET簡易作製
    相川 慎也*,項 榮,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    第2回マイクロ・ナノ工学シンポジウム (くにびきメッセ,島根), ポスター.
  56. 単層カーボンナノチューブの直径制御CVD合成
    ティーラポン トゥラキットセーリー*,エリック エイナルソン,項 榮,相川 慎也,千足 昇平,塩見 淳一郎,丸山 茂夫
    第2回マイクロ・ナノ工学シンポジウム (くにびきメッセ,島根), 口頭.
  57. 単層カーボンナノチューブの水晶基板上における水平成長メカニズム
    千足 昇平*,井ノ上 泰輝,項 榮,相川 慎也,塩見 淳一郎,丸山 茂夫
    2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学,長崎), 口頭.
  58. R面(101)水晶基板上でのSWNT水平配向成長
    千足 昇平*,井ノ上 泰輝,ティーラポン トゥラキットセーリー,相川 慎也,項 榮,塩見 淳一郎,丸山 茂夫
    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (京都大学,京都), ポスター.
  59. 高性能all-SWNT電界効果トランジスタの作製と特性評価
    相川 慎也*,項 榮,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (京都大学,京都), 口頭.
  60. 基板の表面改質を利用した選択的触媒担持法によるas-grown単層カーボンナノチューブFETの作製と特性評価
    相川 慎也*,項 榮,エリック エイナルソン,酒造 正樹,北畠 旭,千足 昇平,塩見 淳一郎,ジャン=ジャック ドロネー,山田 一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    ナノ学会 第8回大会 (自然科学研究機構 岡崎コンファレンスセンター,愛知), 口頭.
  61. 単層カーボンナノチューブのパターン成長法を用いた薄膜トランジスタの作製と特性評価
    相川 慎也*,項 榮,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 (東海大学,神奈川), 口頭.
  62. 収束電子線照射で生成されたニッケルナノ粒子によるアモルファスカーボン薄膜のグラファイト化
    相川 慎也*,木津 たきお,西川 英一
    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 (東海大学,神奈川), 口頭.
  63. 液相アーク放電によるキシレンからのカーボンナノチューブ合成においてアークプラズマの特性が合成物へ与える影響
    木津 たきお*相川 慎也,西川 英一
    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 (東海大学,神奈川), 口頭.
  64. 単層カーボンナノチューブのパターン成長法による薄膜トランジスタの作製
    相川 慎也*,項 榮,エリック エイナルソン,千足 昇平,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (名城大学,愛知), ポスター.
  65. 2009:

  66. 液相アーク放電によるキシレンからのカーボンナノチューブ合成において電極材料が合成物へ与える影響
    木津 たきお*相川 慎也,西川 英一
    2009年 放電学会 年次大会 (東京都市大学,東京), ポスター.
  67. 水中アーク放電法をベースとした金属電極間放電によるスクロース溶液からの多層カーボンナノチューブの合成
    相川 慎也*,木津 たきお,品田 俊行,岡部 雅一,山口 恒,世古 繁喜,西川 英一
    2009年 放電学会 年次大会 (東京都市大学,東京), ポスター.
  68. スクロース溶液の濃度を変化させた場合における液中アーク放電の特性とその生成物
    品田 俊行*相川 慎也,木津 たきお,岡部 雅一,山口 恒,世古 繁喜,西川 英一
    2009年 放電学会 年次大会 (東京都市大学,東京), ポスター.
  69. Optimization of catalyst deposition by spin-coating for synthesis of vertically-aligned single-walled carbon nanotube arrays
    T. Thurakitseree*, E. Einarsson, R. Xiang, S. Aikawa, P. Zhao, J. Shiomi, S. Maruyama
    第1回マイクロ・ナノ工学シンポジウム (タワーホール船堀,東京), ポスター.
  70. High Precision Site-selective Growth of SWNTs and its Applications
    R. Xiang*, S. Aikawa, E. Einarsson, J. Shiomi, S. Maruyama
    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (つくば国際会議場,茨城), ポスター.
  71. As-grownの単層カーボンナノチューブを用いた容易な電界効果トランジスタの作製とその特性
    相川 慎也*, 項 榮,エリック エイナルソン,塩見 淳一郎,西川 英一,丸山 茂夫
    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (つくば国際会議場,茨城), ポスター.
  72. 液相アーク放電によるキシレンからのカーボンナノチューブの合成
    木津 たきお*相川 慎也,西川 英一
    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (つくば国際会議場,茨城), ポスター.
  73. 銅電極を用いたアーク放電法によるオルトキシレンからのカーボンナノチューブの合成
    木津 たきお*,金 勇一,相川 慎也,西川 英一
    プラズマ科学シンポジウム2009 (名古屋大学,愛知), ポスター.
  74. 2008:

  75. 水中アーク放電法による異種電極材料を用いたカーボンナノマテリアルの合成
    木津 たきお*, 西川 英一, 相川 慎也, 金 勇一, 喜岡 俊英
    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学,愛知), 口頭.
  76. スクロースからのカーボン・ナノマテリアルの合成
    相川 慎也*,木津 たきお,西川 英一,喜岡 俊英
    2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 (日大理工学部,千葉), 口頭.
  77. 2007:

  78. 水中アーク放電法による異種電極材料を用いたカーボンナノマテリアルの合成
    西川 英一*相川 慎也,清水 浩,金 勇一,喜岡 俊英
    2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学,北海道), 口頭.

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特許 (Patents)

登録:

  1. 有機EL素子及びその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特許登録第6440169号 (2018/11/30).

  2. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特許登録第6308583号 (2018/03/23).

  3. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特許登録第6296463号 (2018/03/02).

  4. 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特許登録第6273606号 (2018/01/19).

  5. 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
    塚越 一仁,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特許登録第6261125号 (2017/12/22).

  6. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    相川 慎也,塚越 一仁,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特許登録第6260992号 (2017/12/22).

  7. 酸化物半導体およびその製法
    相川 慎也,塚越 一仁,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特許登録第6252904号 (2017/12/08).

  8. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    塚越 一仁,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特許登録第6252903号 (2017/12/08).

  9. THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    T. Nabatame, K. Tsukagoshi, S. Aikawa, T. Chikyo
    U.S. Patent No. 9,825,180 (2017/11/21).

  10. 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特許登録第6241848号 (2017/11/17).

  11. THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    T. Nabatame, K. Tsukagoshi, S. Aikawa
    U.S. Patent No. 9,741,864 (2017/08/22).

  12. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也,知京 豊裕
    特許登録第6120386号 (2017/04/07).

  13. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    塚越 一仁,ピーター ダルマワン,相川 慎也,生田目 俊秀,柳沢 佳一
    特許登録第5846563号 (2015/12/04).

出願:

  1. 透明導電膜の形成方法、透明導電膜、導電膜付基板、及びタッチパネル
    相川 慎也,大榮 海斗
    特願2020-030951 (2020/02/26).

  2. 透明導電膜、透明導電膜つき透明基板、透明導電膜つき透明基板の製造方法、タッチパネル
    相川 慎也
    特願2017-119702 (2017/06/19).

  3. メガネ型装具
    相川 慎也
    特願2016-244357 (2016/12/16).

  4. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2016-213693 (2016/10/31).

  5. ドーピング方法、導電性構造体の製造方法、繊維状構造の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
    相川 慎也,橋本 英樹,阿相 英孝,小野 幸子
    特願2016-094691 (2016/05/10).

  6. 薄膜トランジスタ、酸化物半導体、およびその製造方法
    塚越 一仁,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    PCT/JP2015/051845 (2015/01/23).

  7. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也,知京豊裕
    PCT/JP2014/062188 (2014/05/02).

  8. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
    14/889919(米国) (2014/05/02).

  9. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川慎也,知京 豊裕
    特願2015-515874 (2014/05/02).

  10. 有機EL素子及びその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    PCT/JP2014/059190 (2014/03/28).

  11. 有機EL素子及びその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2015-508772 (2014/03/28).

  12. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特願2014-016635 (2014/01/31).

  13. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    相川 慎也,塚越 一仁,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特願2014-016634 (2014/01/31).

  14. 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特願2014-016633 (2014/01/31).

  15. 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    生田目 俊秀,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,塚越 一仁
    特願2014-016632 (2014/01/31).

  16. 酸化物半導体およびその製法
    相川 慎也,塚越 一仁,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特願2014-016631 (2014/01/31).

  17. 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
    塚越 一仁,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特願2014-016630 (2014/01/31).

  18. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    塚越 一仁,相川 慎也,木津 たきお,清水 麻希,三苫 伸彦,生田目 俊秀
    特願2014-016273 (2014/01/31).

  19. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2014-016266 (2014/01/31).

  20. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也,知京 豊裕
    特願2013-139425 (2013/07/03).

  21. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    塚越 一仁,ピーター ダルマワン,相川 慎也,生田目 俊秀,柳沢 佳一
    PCT/JP2013/066384 (2013/06/13).

  22. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    塚越 一仁,ピーター ダルマワン,相川 慎也,生田目 俊秀,柳沢 佳一
    10-2014-7012459(韓国) (2013/06/13).

  23. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
    塚越一仁,ピーターダルマワン,相川慎也,生田目俊秀,柳沢佳一
    特願2014-521410 (2013/06/13).

  24. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2013-099284 (2013/05/09).

  25. 有機EL素子及びその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2013-068164 (2013/03/28).

  26. 有機EL素子及びその製造方法
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2013-067801 (2013/03/28).

  27. 有機EL素子
    生田目 俊秀,塚越 一仁,相川 慎也
    特願2013-067782 (2013/03/28).

  28. カーボンナノ粒子及びカーボンナノチューブ製造方法
    西川 英一,相川 慎也,木津 たきお,喜岡 俊英
    特願2008-97578 (2008/03/07).


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