| 2012年度 | 行事 | 講演・発表内容等 |
| 03月28日（木） | 応用物理学会（春） @神奈川 杉浦君（本田研） 発表 |
(28p-G21-11) In-situ RF-MBE法によるAlOx/AlN/GaN構造のヘテロ成長 |
| 03月28日（木） | 応用物理学会（春） @神奈川 山口先生 |
28p-G21: III-V族窒化物結晶 座長 |
| 03月28日（木） | 応用物理学会（春） @神奈川 網谷君（本田研） 発表 |
(28p-PB4-15) 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位の変化 |
| 03月28日（木） | 応用物理学会（春） @神奈川 井村博士（NIMS） 共同研 究 発表 |
(28p-PA1-4) 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.7Ga0.3Nの表面−バ ルク電子状態評価 |
| 03月28日（木） | 応用物理学会（春） @神奈川 尾沼先生（本田研） 発表 |
(28a-G19-6) β-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル |
| 03月12日（火） | 17th Euro MBE @Levi, Finnland 本田先生 発表 |
(TuP.12) Growth of ultra-thin InN/GaN quantum well with super-weak waveguide by RF-MBE |
| 02月04日（月） | SPIE Photonic West @San Fransisco, CA, USA 山口先生招待講演 |
(8625-1) Applicationof DERI Method to InN/InGaN MQW, Thick InGaN and InGaN/InGaN MQW StructureGrowth |
| 02月 | pss(c) 本田先生 論文発表 |
(10, 385-387) GaN growth on (111)Al substrates by CS-MBE and their chemical lift-off technique |
| 02月 | SPIE Photonic West Proceeding 山口先生 論文発表 |
(8625-1) Applicationof DERI Method to InN/InGaN MQW, Thick InGaN and InGaN/InGaN MQW StructureGrowth |
| 01月15日（火） | 日本学術振興会 第161委 員会 結晶成長の科学と 技術 第79回研究会 @山口 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures |
| 01月 | APL Dr. A. L. Yang （NIMS, Japan） 共同研究論文発表 |
(102, 031914/1-3) Investigationof the near-surface structure of polar InN films bychemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction |
| 11月30日（金） | 信学技報 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(112, 55-58)DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 |
| 11月30日（金） | 電子情報通信学会 電子デバイス研究会・レー ザ・量子エレクトロニクス研 究会 @大阪 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(14)DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 |
| 11月29日（木） | MRS Fall Meetings @Boston, USA 本田先生 発表 |
(Z15.02)Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals |
| 11月29日（木） | 信学技報 杉浦君（本田研） 論文発 表 |
(112, 13-15) GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 |
| 11月29日（木） | 電子情報通信学会 電子デバイス研究会・レー ザ・量子エレクトロニクス研 究会 @大阪 杉浦君（本田研） 発表 |
(4) GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 |
| 11月28日（水） | MRS Fall Meetings @Boston, USA 安野君（本田研） 発表 |
(Z13.44) Fabrication of Ga2O3Films by Molecular Precursor Method |
| 11月08日（木） | 応用物理学会結晶工学分 科会 第1回結晶工学未来塾 @東京 畠山君（山口研） 発表 |
(05)クロストーク低減へ向けたultra-thin InN/GaN単一量子井戸の製作 |
| 11月08日（木） | 応用物理学会結晶工学分 科会 第1回結晶工学未来塾 @東京 多次見君（本田研） 発表 |
(03)RF-MBE法を用いた(111)Si基板上GaN薄膜成長におけるASF層の歪低減 に対する効果 |
| 10月31日（水） | IEEEInternational Conference on Solid- State and Integrated Circuit Technology @Xian, China 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
RecentDevelopment of Growth and Characterizationof InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures |
| 10月30日（水） | 11th ISAT @Tokyo 網谷君（本田研） 発表 |
(P-C57-II) Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Measurements of InN Grown by RF-MBE |
| 10月30日（水） | 11th ISAT @Tokyo 尾沼先生（本田研） 発表 |
(P-C56-II) Electron-beamIncident-angle-resolved Cathodoluminescence Studies on Bulk ZnO Crystals |
| 10月30日（水） | 11th ISAT @Tokyo 杉浦君（本田研） 発表 |
(P-C55-II) Estimationof Surface States of Ga- and N-face GaN Measurement Near the Valence-bandMaximum by X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| 10月30日（水） | 11th ISAT @Tokyo 安野君（本田研） 発表 |
(P-C54-II) Characterizationof Fabricated Ga2O3 Thin Films on (0001) Sapphire Substrate by MolecularPrecursor Method |
| 10月30日（水） | 11th ISAT @Tokyo 山口先生 発表 |
(C2-5) Growthand Characterization of InN-based Materials |
| 10月26日（金） | 研究室セミナー | Guest：藤嶌博士（MIT大, USA） |
| 10月24日（水） | 研究室セミナー | Guest：Hommel先生（Bremen大, Germany）、大川先生（東京理科大） |
| 10月22日（月） | Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors @Sendai, Japan 山口先生 発表 |
(As Key Persons) GrowthofInN and related materials using DERI method |
| 10月18日（木） | 2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society @Daejoin, Korea 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors’ Band gap- |
| 10月18日（木） | IWN2012 @Sapporo, Japan 網谷君（本田研） 発表 |
(ThP-PR-65) Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF -MBE |
| 10月18日（木） | IWN2012 @Sapporo, Japan Dr. S. Nargelas （Vilnius Univ., Lithuania） 共同研究 発表 |
(ThP-PR-61) Injection-activated defect-governed recombination rate in InN |
| 10月18日（木） | IWN2012 @Sapporo, Japan Dr. A. Yang （NIMS） 共同 研究発表 |
(ThP-PR-60) Strong correlation between oxygen donor and nearsurface electron accumulation in non-polar mplane (10-10) InN film |
| 10月18日（木） | IWN2012 @Sapporo, Japan Dr. R. Cusco （CSIC, Spain） 共同研究発表 |
(ThP-PR-58) T-dependence of local vibrational modes of Mg-H complexes in InN:Mg |
| 10月16日（火） | IWN2012 @Sapporo, Japan 今井君（東京農工大） 共 同研究 発表 |
(TuP-GR-60) HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE |
| 10月16日（火） | IWN2012 @Sapporo, Japan 井村博士（NIMS） 共同研 究 発表 |
(TuP-GR-54) Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| 10月15日（月） | IWN2012 @Sapporo, Japan 本田先生 発表 |
(MoP-OD-13) Fabrication of RGB pixels using integrated GaN-based Schottky-type light-emitting diodes |
| 09月29-30日 | 文京学院大学女子高等学 校文化祭 出張理科教室 |
ＬＥＤで遊ぼう！ |
| 09月28日（金） | ICMBE2012 @Nara, Japan 山口先生 発表 |
(FrB-1-5) Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method |
| 09月28日（金） | ICMBE2012 @Nara, Japan 本田先生 発表 |
(FrB-1-4) GaN growth on (111)Al by molecular beam epitaxy |
| 09月25日（火） | SSDM2012 @Kyoto, Japan Dr. M. Higashiwaki（NICT） 共同研究 発表 |
(I-1-1) Interface Control of III-Oxide/Nitride Composite Structures |
| 09月14日（木） | JAP Dr. Cusco（CSIC, Spain） 共同研究論文発表 |
(112, 053528/1-6) Temperature dependence of Mg-H local vibrational modes in heavily doped InN:Mg |
| 09月13日（水） | 応用物理学会（秋） @愛媛 尾沼先生（本田研） 発表 |
(13p-H7-4) ZnO単結晶の電子線入射角度依存カソードルミネセンス測定 |
| 09月13日（水） | 応用物理学会（秋） @愛媛 尾沼先生（本田研） 発表 |
(13a-H7-8) 酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性 |
| 09月13日（水） | 応用物理学会（秋） @愛媛 井村博士（NIMS） 共同研 究 発表 |
(13a-H9-10) 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価 |
| 09月12日（水） | 応用物理学会（秋） @愛媛 Yang博士（NIMS） 共同研 究 発表 |
(12a-PB4-18) Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction |
| 09月11日（火） | 応用物理学会（秋） @愛媛 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(11p-H10-10) Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF- MBE |
| 09月11日（火） | 応用物理学会（秋） @愛媛 網谷君（本田研） 発表 |
(11p-H10-7) Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c- plane InN grown by RF-MBE |
| 08月27日（月） | ISCS2012 @Santa Barbara, USA 杉浦君（本田研） 発表 |
(Mo-P.21) X-Ray photoelectron spectroscopy measurements around the valence-band of Ga- and N-face (0001) GaN |
| 08月27日（月） | ISCS2012 @Santa Barbara, USA 尾沼先生（本田研） 発表 |
(Mo-P.25) Incident angle resolved cathodoluminescence study of ZnO single crystals |
| 08月25日（土） - 08月26日 （日） |
理科教室 | LEDで遊ぼう（高橋研と合同） |
| 08月22日（水） | 4S-2012 @Ho Chi Minh City, Vietnam 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Frontier Research of Nitride Semiconductors toward Longer Wavelength and Higher Speed |
| 08月09日（木） - 08月10日 （金） |
研究室ゼミ旅行 | 応用化学科佐藤研究室、本田研究室、山口研究室合同 Guest：吉川先生（千葉大）、角谷先生、Sang博士（以上NIMS）、杉山先生 （東理大）、金子様（京大） |
| 08月07日（火） | 第35回光通信研究会 @山梨 杉浦君（本田研） 発表 |
短波長領域動作GaInN系太陽電池の基礎検討 |
| 08月07日（火） | 第35回光通信研究会 @山梨 多次見君（本田研） 発表 |
RF-MBE法を用いたSi基板上GaN成長へのASF緩衝層の効果 |
| 08月06日（月） | 第35回光通信研究会 @山梨 網谷君（本田研） 発表 |
RF-MBE法により成長したInNの角度分解XPS測定 |
| 08月06日（月） | 第35回光通信研究会 @山梨 安野君（本田研） 発表 |
分子プレカーサー法を用いた(0001)Sapphire基板上Ga2O3薄膜の製作 |
| 07月27日（金） | Seminar at PDI @Berlin, Germany 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Growth of InN and In-rich InGaN by DERI method and those nano- structures |
| 07月24日（火） | ISSLED2012 @Berlin, Germany 山口先生 発表 |
(O4B11) Toward strain control of GaN grown on Si by RF-MBE |
| 07月24日（火） | ISSLED2012 @Berlin, Germany 本田先生（本田研） 発表 |
(P2_17) Fabrication of c-axis orientated Ga-doped MgZnO-based transparent electrodes by molecular precursor method for GaN-based UV LED |
| 07月21日（土） | 2012 German-Japanese- Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices @Berlin, Germany 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Growth of InN, InGaN and those Nano-structures by DERI Method |
| 07月19日（木） | ISGN-4 @St. Petersburg, Russia Mr. R. J. Jimenez Rioboo （CSIC, Spain） 共同研究発 表 |
(Th-2o) Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering |
| 07月17日（火） | ISGN-4 @St. Petersburg, Russia 東脇先生（NICT） 共同研 究発表 |
(Tu-15o) In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures |
| 07月17日（火） | ISGN-4 @St. Petersburg, Russia 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(Tu-3o) In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method |
| 07月17日（火） | ISGN-4 @St. Petersburg, Russia 本田先生（本田研） 発表 |
(Tu-33p) GaN layers growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE andtheir chemical lift-off technique |
| 07月12日（木） | EMS-31 @静岡 山口先生 発表 |
(Th4-9) Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method |
| 07月12日（木） | EMS-31 @静岡 山口先生 |
Session Th4: III-Nitride Growth II 座長 |
| 07月12日（木） | EMS-31 @静岡 杉浦君（本田研） 発表 |
(Th3-6) X-ray photoelectron spectroscopy spectra of Ga- and N-face (0001)GaN around the valence-band binding energy |
| 07月12日（木） | EMS-31 @静岡 井村博士（NIMS） 共同研 究発表 |
(Th3-5) Surface and bulk electronic structure of Mg-doepd InN analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy |
| 07月12日（木） | EMS-31 @静岡 網谷君（本田研） 発表 |
(Th3-4) Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films |
| 07月11日（水） | EMS-31 @静岡 山口先生 |
ランプセッション オーガナイザー |
| 07月11日（水） | EMS-31 @静岡 多次見君（本田研） 発表 |
(We1-3) Impact of (GaN/AlN) alternating-source-feeding layer for the GaN growth on (111)Si substrates by RF-MBE |
| 07月05日（木） | OECC2012 @Busan, Korea 山口先生 |
(P2-40) Angle-resolved XPS measurements of GaN and InN grown by RF- MBE |
| 07月05日（木） | OECC2012 @Busan, Korea 多次見君（本田研） 発表 |
(P2-5) The strain-controlled GaN growth on Si by RF-MBE |
| 07月02日（月） | Seminar at KAIST @Daejeon, Korea 名西先生（立命館大）共 同研究招待講演 |
Frontier Research of Nitride Semiconductors -InN and In-rich InGaN- |
| 06月26日（火） | STAC-6 @Kanagawa, Japan Yang博士（NIMS） 共同研 究 発表 |
(1P-CH-P18) Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction |
| 06月22日（金） | EMC2012 @Pennsylvania, USA 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(DD6) Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE |
| 06月 | pss (RRL) Mr. R. J. Jimenez-Riooo （CSIC, Spain） 共同研究論 文発表 |
(6, 256-258) Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering |
| 05月27日（日） | 東松島市出張理科教室 | ＬＥＤで遊ぼう！ |
| 04月28日（土） | プレIWN2012 @東京 荒木先生（立命館大） 共 同研究発表 |
(SA-15) DERI法InGaN成長におけるラジカルモニタリング技術応用 |
| 04月 | pss (RRL) Mr. N. Domenech-Amador （CSIC, Spain） 共同研究論 文発表 |
(6, 160-162) Double Resonance Raman Effects in InN Nanowires |