| 2011年度 |
行事 |
講演・発表内容等 |
| 03月17日（土） |
応用物理学会（春）
@東京
上松君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(17a-B10-12) DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作
製 |
| 03月17日（土） |
応用物理学会（春）
@東京
阪口君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(17a-B10-11) ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN
成長の検討 |
| 03月17日（土） |
応用物理学会（春）
@東京
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(17a-B10-7) InN Overgrowth Through in Situ A1N Nano-Mask
onSapphire Substrate |
| 03月16日（金） |
応用物理学会（春）
@東京
東脇博士（NICT） 共同研究
発表 |
(16p-F12-17) n-GaN上へのAlOx薄膜のin-situ RF-MBE成長 |
| 03月16日（金） |
応用物理学会（春）
@東京
Yang博士（NIMS） 共同研究
発表 |
(16a-DP1-29) A natural PN junction in Mg-doped In-polar InN
film directly detected by high resolutionangle-resolved hard X-
ray photoelectron spectroscopy |
| 03月16日（金） |
応用物理学会（春）
@東京
杉浦君（本田研） 発表 |
(16a-DP1-22) RF-MBE法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上
GaN薄膜のX線回折測定 |
| 03月16日（金） |
応用物理学会（春）
@東京
長瀬君（本田研） 発表 |
(16a-DP1-21) Al緩衝層を用いた化合物原料MBE法による(0001)
4H-SiC上GaN薄膜の製作 |
| 03月16日（金） |
応用物理学会（春）
@東京
坂井君（本田研） 発表 |
(16a-DP1-10) AlおよびAlOx膜堆積が極性GaNのPL強度に与える
影響 |
| 03月15日（木） |
応用物理学会（春）
@東京
尾沼先生（本田研） 発表 |
(15p-F6-1) 極性・非極性バルクZnO表面におけるCLスペクトルの
比較 |
| 03月15日（木） |
応用物理学会（春）
@東京
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
(15p-GP2-8) 窒化物半導体新領域開拓にむけての材料技術最近
の展開 |
| 03月08日（木） |
ISPlasma2012
@愛知
Wang（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(8a-S02OD) Free holes in Mg doped InN confirmed by
thermopower experiments |
| 03月05日（月） |
ISPlasma2012
@愛知
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
(5a-S03K) Importance of advanced plasma for frontier nitride
semiconductor technologies |
| 03月03日（土） |
卒論・修論お疲れ様会 |
高橋研・本田研・山口研合同 |
| 03月 |
pss(a)
荒木先生（立命館大 名西・荒
木研） 論文発表 |
(209, 447-450) Fabrication ofa-plane InN nanostructures on
patterneda-plane GaN template by ECR-MBE |
| 02月15日（水） |
情報通信工学科学士論文発
表会 |
網谷、柳沢（以上山口研学生）
大林、篠原、竹沢、多次見、友部。安野（以上本田研学生） |
| 02月13日（月） |
KAUST-UCSB-NSF
Workshop on Solid-State
Lighting
@Saudi Arabia
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
Applicationof DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW
structure Growth |
| 02月03日（金） |
電気・電子工学専攻修士論文
発表会 |
井垣、坂井、杉浦、長瀬（以上本田研学生） |
| 02月02日（木） |
電気・電子工学専攻修士論文
発表会 |
小田、杉浦（以上本田研学生） |
| 01月23日（月） |
SPIE photonic west
@San Francisco, USA
荒木先生（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(8262-3) Reduction of Threading Dislocation Density by
Regrowth on In-Polar InN |
| 01月20日（金） |
東京農工大学後期集中講義
@東京
山口先生 |
−地球を救う結晶成長−
「分子線エピタキシーによる結晶成長」 |
| 01月12日（木） |
窒化物ナノ・エレクトロニクス
材料研究センター講演会
@宮城
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
InNおよびInGaN成長の最近の進展
−DERI法の結果が示唆すること− |
| 01月 |
pss(a)
Dr. V. Darakchieva（Linkoping
大, Sweden） 共同研究論文
発表 |
(209, 91-94) Unintentional incorporation of H and related
structural and free-electron properties ofc- anda-plane InN |
| 12月28日（水） |
研究室忘年会 |
本田研究室、山口研究室合同 |
| 12月21日（水） |
WOFE 2011
@San Juan, Puerto Rico
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping |
| 12月15日（木） |
応物・結晶成長分科会
@東京
山口先生 発表 |
InNおよびGaN成長における原子脱離過程その場観察 |
| 12月15日（木） |
応物・結晶成長分科会
@東京
井垣君（本田研） 発表 |
(GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄
膜成長 |
| 12月01日（木） |
2011 MRS Fall Meeting
@Boston, USA
杉浦君（本田研） 発表 |
(M13.16) In-plane Epitaxial Relationship of (0001) Sapphire Grown
by Compound-Source MBE |
| 12月01日（木） |
2011 MRS Fall Meeting
@Boston, USA
林君（本田研） 発表 |
(O7.40) Low Temperature of GaN on Psudo (111)Al Substrates
by RF-MBE |
| 11月20日（日） |
諏訪市出張理科教室 |
３原色ＬＥＤを使い加法混色を学ぼう！ |
| 11月17日（木） |
ISAT-10
@Peking, China
網谷君（山口研） 発表 |
X-raydiffraction pattern of ZnO layer grown by Compound
source MBE |
| 11月17日（木） |
ISAT-10
@Peking, China
小田君（本田研） 発表 |
Ozone treatment of the substrates for the ZnO deposition by
molecular precursor method |
| 11月03日（木） |
結晶成長国内会議
@筑波
荒木先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
(04aA04) ECR-MBE法を用いたA面InNナノ構造の配列制御選択
成長 |
| 11月03日（木） |
結晶成長国内会議
@筑波
山本君（農工大 纐纈・熊谷
研） 共同研究発表 |
(03aB03) HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へ
のInN成長の検討 |
| 10月30日（日） |
電気関係学会関西支部
@兵庫
油谷君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(30P4-13) DERI法を用いたA面GaNテンプレート上A面InNの作成 |
10月08日（土）
- 10月10日（月） |
研究室ゼミ旅行 |
応用化学科佐藤研究室、本田研究室、山口研究室合同
Guest：角谷先生、Sang博士（以上NIMS）、Wang博士（立命館
大） |
| 09月30日（金） |
JAP
Dr. V. Darakchieva（Linkoping
大, Sweden） 共同研究論文
発表 |
(110, 063535/1-6) UnintentionalIncorporation of Hydrogen in
Wurtzite InN with Different Surface Orientations |
| 09月01日（木） |
応用物理学会（秋）
@山形
尾沼先生（本田研） 発表 |
(1a-ZE-13) 六方晶GaNとZnOにおける表面再結合の比較 |
| 09月01日（木） |
応用物理学会（秋）
@山形
坂井君（本田研） 発表 |
(1a-ZE-12) 極性および非極性GaN表面における表面再結合過程 |
| 08月3１日（水） |
応用物理学会（秋）
@山形
杉浦君（本田研） 発表 |
(31a-N-12) 化合物原料MBE法を用いたZnO薄膜の結晶成長とそ
の評価 |
| 08月30日（火） |
応用物理学会（秋）
@山形
林君（本田研） 発表 |
(30p-ZE-7) RF-MBE法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄
膜成長 |
| 08月30日（火） |
応用物理学会（秋）
@山形
山本君（農工大 纐纈・熊谷
研） 共同研究発表 |
(30a-ZE-12) InN/Sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN
HVPEにおける成長速度の影響 |
| 08月30日（火） |
応用物理学会（秋）
@山形
荒木先生（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(30a-ZE-5) In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減 |
08月20日（土）
- 08月21日（日） |
理科教室 |
３原色ＬＥＤを使い加法混色を学ぼう！ |
| 08月16日（火） |
NAMBE2011
@San Diego, USA
本田先生（本田研） 発表 |
Built-in Potential Along the C-axis in MBE-grown GaNLayers
Observed by Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| 08月16日（火） |
NAMBE2011
@San Diego, USA
山口先生 発表 |
Growths of InN/InGaN Periodic Structure and ThickInGaN Film
using Droplet Elimination Process by Radical-beam Irradiation |
| 08月15日（月） |
NAMBE2011
@San Diego, USA
尾沼先生 （本田研） 発表 |
Comparative Study of Surface Recombination inHexagonal GaN
and ZnO Surfaces |
| 08月03日（月） |
特定領域公開シンポ
@東京
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(A01-1(2)) Mgドープp型InNの結晶成長と物性評価 |
| 08月03日（月） |
特定領域公開シンポ
@東京
山口先生 発表 |
(A01-1(1)) DERI法を用いたInNおよびInGaN混晶の結晶成長 |
| 08月03日（月） |
特定領域公開シンポ
@東京
名西先生（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(A01-1) RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構
造の形成 |
| 07月22日（金） |
学振162委員会
@東京
山口先生 招待講演 |
DERI法によるIn系窒化物半導体の結晶成長 |
| 07月15日（金） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(LN2.3) Strong Luminescence from Self-Assembled InN
Nanocolumns with Few Dislocations Grown by Molecular Beam
Epitaxy |
| 07月14日（木） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Dr. E. A. Llado（Lawrence
Berkeley National Lab., USA)
共同研究発表 |
(LN1.5) Anharmonic Phonon Decay in InN Thin Films |
| 07月14日（木） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
荒木先生（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(D4.5) Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on
Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE |
| 07月14日（木） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Dr. V. Darakchieva（Instituto
Tecnologico e Nuclear,
portugal） 共同研究発表 |
(D3.6) Hydrogen in InN with Polar, Nonpolar and Semipolar
Surface Orientations |
| 07月13日（水） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Ms. M. H. Kim（SNU, Korea）
共同研究発表 |
(PD3.32) Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns
Grown by RF-MBE on Nano-Imprinted Sapphire Substrates |
| 07月13日（水） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Mr. N. Domenech-Amador
（CSIC, Spain） 共同研究発表 |
(PD3.24) Evaluation of P-type InN Using Temperature
Dependence of I-V Characteristics |
| 07月13日（水） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
櫻井君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(PD3.16) Evaluation of P-type InN Using Temperature
Dependence of I-V Characteristics |
| 07月13日（水） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
山口先生 発表 |
(D1.4) Proposal of Thick InGaN Film Growth Using Advanced
Droplet EliminationProcess by Radical-Beam Irradiation |
| 07月13日（水） |
ICNS-9
@Glasgow, Scottland
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(PD3.9) Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN
Templates by Molecular Beam Epitaxy |
| 07月07日（木） |
APL
Dr. J. Ibanez（CSIC, Spain） 共
同研究論文発表 |
(99, 011908/1-3) High-Pressure Raman Scattering in Wurtzite
Indium Nitride |
| 07月01日（金） |
EMS-30
@滋賀
上松君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(Fr1-19) Thick InGaN Growth Using DERI Method |
| 07月01日（金） |
EMS-30
@滋賀
勝木君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(Fr1-18) Study on DERI Growth of InN -Role of Indium Droplet- |
| 07月01日（金） |
EMS-30
@滋賀
櫻井君（立命館大 名西・荒木
研） 共同研究発表 |
(Fr1-17) Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-
type InN Grown by RF-MBE |
| 07月01日（金） |
EMS-30
@滋賀
山口先生 発表 |
(Fr1-16) In Situ Monitoring Techniques by DERI Method |
| 06月29日（水） |
EMS-30
@滋賀
坂井君（本田研） 発表 |
(We1-16) Recombination dynamicsin polar and nonpolar GaN
surfaces |
| 06月29日（水） |
40th Jaszowiec
@Jaszowiec, Poland
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
(WeI4) Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and
Related Alloys |
| 06月24日（金） |
EMC2011
@California, USA
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(II9) Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN
Nanocolumns on GaN |
| 06月17日（金） |
第３回窒化物半導体結晶成
長講演会
@福岡
山本君（農工大 纐纈・熊谷
研） 共同研究発表 |
(P1-16) HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速
成長の検討 |
| 06月17日（金） |
PRB
Mr. N. Domenech-Amador
（CSIC, Spain） 共同研究論文
発表 |
(83, 245203/1-12) Raman Scattering Study of Anharmonic
Phonon Decay in InN |
| 05月28日（土） |
pss(c)
木村君（立命館大 名西・荒木
研） 論文発表 |
(8, 1499-1502) Investigation on InN Mole Fraction Fluctuation in
InGaN Films Grown by RF-MBE |
| 05月25日（水） |
5th Asia-Pacific Workshop
on Widegap Semicond.
@三重
Wang博士（立命館大 名西・荒
木研） 共同研究発表 |
(We-P63) Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and
Sapphire by RF-MBE |
| 05月11日（水） |
2011 EMRS Spring Meeting
@Nice, France
名西先生（立命館大 名西・荒
木研）共同研究招待講演 |
(H14-5) Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by
DERI Method |
| 05月10日（火） |
2011 EMRS Spring Meeting
Dr. V. Darakchieva
@Nice, France
（Instituto Tecnologico e
Nuclear, portugal） 共同研究
発表 |
(H8-3) Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN with
Different Surface Orientations |
| 04月20日（水） |
JJAP
山口先生 論文発表 |
(50, 04DH08/1-4) Applicationof Droplet Elimination Process by
Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth andFabrication of InN/
InGaN Periodic Structure |
| 04月01日（金） |
研究室立上げ |
☆☆☆研究室を立ち上げました☆☆☆ |