RESEARCH | 研究内容
- 大沢 遼輝，SiOx中間膜を用いた貴金属フリーTiOx系ReRAMデバイスの電気特性改善
- 川口 拓真，N2雰囲気中RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSnO2:N薄膜の特性評価
- 野寺 歩夢，In2O3系薄膜トランジスタを用いたCO2ガスセンサーの開発
- 熊本 勇紀，溶液から形成した絶縁膜を用いたn型SnOx TFTの特性評価
- 村野 海渡，スイッチングメモリに向けたC60ナノワイヤーの導電処理と構造評価
- 森 峻，BドープIn2O3薄膜の特性評価およびフレキシブル透明導電膜への応用
- 渡辺 幸太郎，Post-deposition annealingを用いたp型SnOx薄膜の探索
- 石井 和歩，電子ビーム蒸着法によるシリコン極薄膜の作製および薄膜トランジスタ応用
- 岩澤 侑司，ポリビニルアルコール抵抗変化メモリにおけるNaCl添加の影響
- 加藤 崇，TiOx/SiOx積層型抵抗変化メモリの堆積順序が電気特性に及ぼす影響
- 河内 碧己，PEDOT:PSS正孔輸送層の厚さがSiヘテロ接合太陽電池特性に及ぼす影響
- 嶋崎 宏，トップゲート型フレキシブルTFT応用に向けたY2O3絶縁膜の電気特性評価
- 辛 佳和，層状SnOへのアンモニアインターカレートとその評価
- 曹 晨亭，トップゲート型酸化物薄膜トランジスタにおけるゲート電極幅設計の検討
- 守屋 賢人，酸素雰囲気硫化アニール処理により作製した硫酸スズ薄膜作製と評価
- レ ドゥック フイ，ポリマー抵抗変化メモリにおけるポリビニルアルコール膜厚の調査
- 池田 翔，TiOx抵抗変化層を用いたReRAM特性のアニール温度依存性
- 石田 哲也，金属Snターゲットを用いたp型SnO薄膜形成におけるスパッタリング条件の最適化
- 今井 暉，反応性スパッタリングにより作製したTiN 薄膜の特性評価
- 木菱 完太，ホウ素ドープIn2O3透明フレキシブル導電膜における水素ドーピング効果
- 小林 翔，還元条件でスパッタ成膜したSnOx薄膜の特性評価
- 小林 亮太，高感度CO2ガスセンサーに向けたLaドープIn2O3薄膜トランジスタの作製と評価
- 林 遥大，SnOx系酸化物太陽電池に向けた電極/SnOx界面の接触抵抗評価
- 山寺 真理，B-doped In2O3 TFT 作製における未熱処理条件の探索
- 渡邉 大輝，Vapor transport annealingによる高品質なSnS薄膜の製作
- 秋山 竜介，抵抗変化層にTiOxを用いた抵抗変化メモリの試作
- 一関 夢希也，フッ素プラズマ処理によるn型SnOx薄膜へのフッ素ドープとキャリアタイプ変換
- 川口 拓真，窒素雰囲気中でスパッタ成膜したSnOx薄膜の電気特性評価
- 野寺 歩夢，In2O3系薄膜トランジスタによるCO2センシング
- 森 健太郎，卵殻膜の電子デバイス材料への応用検討
- 結城 賢采，ZrOx抵抗変化メモリに向けた金属Zrの酸化アニール条件探索
- 熊本 勇紀，ゲート絶縁膜にCYTOPを用いたトップゲート構造酸化インジウムTFTの低温作製と特性評価
- 浪花 大暉，ZrOx/CuO/ZrOxスタック型抵抗変化型メモリのアニール処理依存性
- 兵藤 祐輔，酸化インジウムTFTにおける長時間バイアス印加の影響
- 森 峻，酸化インジウム透明導電膜へのホウ素ドーピング効果の比較検討
- 吉川 達也，完全溶液プロセスに向けたペロブスカイト太陽電池作製プロセスの開発
- 渡辺 幸太郎，高性能p型酸化物TFTの実現に向けたSnOx薄膜のスパッタ成膜条件およびアニール条件の検討
- 渡辺 貴夫，透明電極/Siショットキー界面の酸化層が太陽電池に及ぼす影響
- 村野 海渡，フレキシブル透明導電酸化物薄膜の導電性劣化機構
- 大榮 海斗，CaF2ドープによる酸化インジウム透明導電膜の作製と評価
- 佐々木 啓介，ボトムゲート構造In2O3 TFTの電気的特性におけるゲート絶縁膜表面の撥水性
- 佐藤 汰一，フレキシブル透明導電膜評価装置の開発およびPETフィルム上に形成したITO薄膜の屈曲試験
- 芝田 良生，Boronドープ酸化インジウム透明導電薄膜の酸素分圧依存
- 當山 啓斗，ZrOx系ReRAMにおけるSiOx中間層の役割
- 中村 圭佑，酸化インジウムTFTのガスセンシング特性
- 森永 裕己，Boronドープ酸化インジウム透明電極を用いたショットキー太陽電池の作製プロセス最適化と電気特性評価
研究室概要
高機能デバイス研究室では，以下に示す３つを主なテーマとしており，エレクトロニクス材料や電子デバイスの開発を行っています．
新しい材料を用いて，エレクトロニクスに柔軟性や透明性，軽量性などの機能を付加した高性能かつ高機能な電子デバイスの研究開発を進めています．
研究テーマ
１．酸化物薄膜トランジスタの開発
- 母材となる酸化物半導体材料（In2O3やSnO2など）に少量のドーパントを添加することで，半導体物性が劇的に変化し，例えば，電気的安定性などが向上します．
本研究テーマでは，各種ドーパント添加による酸化物薄膜の物性解明と制御を行っています．
一例として，ある種の元素をドープすることで，特定のガスに電気伝導が敏感に反応する薄膜を創出し薄膜トランジスタにすることで，ガスセンサーとして応用する研究があります．ガス種によるセンシング特性のメカニズム解明をベースに，このような薄膜トランジスタをプラスチックフィルム上に作製できれば，あらゆる曲面上に貼り付け可能なガスセンサーの実現が可能となります．
（参考文献）
S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 103, 172105 (2013).
S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 100, 063502 (2012).
相川 慎也，他 O plus E 35, 350-355 (2013).
S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 103, 172105 (2013).
S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 100, 063502 (2012).
相川 慎也，他 O plus E 35, 350-355 (2013).
２．透明導電材料の開発
- 透明導電材料は，スマートフォンのタッチパネルや太陽電池の透明電極，液晶ディスプレイのセル電極など，現代の電子デバイスには欠かせない材料の一つです．一方で，現行材料は透明度と導電性に限界があり，タッチパネルの高性能化や太陽電池の発電効率向上には材料自体の物性向上が不可欠です．
本研究テーマでは，添加材料の結合エネルギーなど物性パラメータに着目した材料設計を行っています．
ドーパントの最適化により，従来材料を凌駕する透明導電材料の開発を目指して研究開発を進めています．
（参考文献）
N. Mitoma, S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 042106 (2015).
相川 慎也 コンバーテック 536, 95-98 (2017).
N. Mitoma, S. Aikawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 042106 (2015).
相川 慎也 コンバーテック 536, 95-98 (2017).
３．太陽電池の開発
修論テーマ
【2023年度】
【2022年度】
【2021年度】
卒論テーマ
【2023年度】
【2022年度】
【2021年度】
【2020年度】
【2019年度】
共同研究先
学内外の研究者と共同研究を行っています．興味があれば研究室外での研究活動も可能です．